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本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特制腐...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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