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本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法,其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形,使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔,同轴线通孔的深度小于硅片的厚度;在硅片(2)的A面上溅射种子层,再覆盖一层光敏BCB,经过光刻得...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法,其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形,使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔,同轴线通孔的深度小于硅片的厚度;在硅片(2)的A面上溅射种子层,再覆盖一层光敏BCB,经过光刻得...