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可以在构造闪存的浮动栅时使下表面面向衬底平坦而弯曲上表面面向控制栅。在部分实施例中，这样的器件改善了对控制栅的电容耦合，并降低了对其相邻者的电容耦合。...
该专利属于英特尔公司;微米技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司;微米技术股份有限公司授权不得商用。

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