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本发明提供一种装置，包括半导体元件，且半导体元件包括：半导体基板，有沟道区；高介电常数的介电层，位于至少部分沟道区上；栅极，位于至少分沟道区上与介电层上，其中栅极实质上为金属；以及栅极接点，接合栅极位于沟道区上。本发明也提供一种形成半导体元...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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