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记忆体元件及其制造方法技术
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文档序号:6538788
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本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件,包括基底、导体层、电荷储存层、多个第一、第二掺杂区及多个第一、第二记忆胞掺杂区。基底中具有多个沟渠。导体层配置于基底上且填满沟渠。电荷储存层配置于基底与导体层之间。第一、第二掺杂区分别...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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