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本发明是有关于一种位元线结构、半导体元件及其形成方法。该半导体元件，包括基底、多个堆叠栅极结构、多个掺杂区、多个衬层、多个导体层、多个介电层及多条字元线。基底具有多个沟渠。堆叠栅极结构配置在沟渠之间的基底上。掺杂区配置于沟渠的侧壁及底部的基...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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