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一种分栅闪存单元制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有选择栅栅介质层、选择栅电极层；依次刻蚀所述选择栅电极层、选择栅栅介质层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成隧穿氧化层、存储层、顶部氧化层...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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