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本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器，包括：Si衬底；在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极，该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结；以及在该Si衬底第二表面依序...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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