【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及Si光电子材料
,尤其涉及。
技术介绍
从器件结构来看,硅光电探测器主要有ρ-本征-n (pin)和雪崩两种类型器件结构 [1]。Pin结构的器件简单,光电响应在1A/W,由于偏置电压低而可与集成电路连接;雪崩器件的结构为ρη π n型,尽管其光电响应在100A/W左右,但由于必须采用100-200V高压,因此只能用于分立器件。从探测机理来看,光电探测器的类型又可分为光电导和光伏两种类型Μ。光电导型探测器是材料中价带电子被探测光子激发到导带、成为自由电子,而自由电子的聚集增加了材料电导率,并进一步增加了一定偏压下的电流,从而探测到光信号。光伏型探测器则是通过pn结将光生电子-空穴对分开,并在外加偏压下形成光电流,从而探测到光信号。而雪崩效应则是光生电子-空穴在高压强场中分离时与晶格发生碰撞而形成电离倍增。1959年Fan和Ramdas[2]报道经离子辐照的硅能在禁带中形成深能级,这种深能级能对波长达4000nm的红外光产生光吸收和光电流,经快中子幅照的硅在1800nm和3900nm 有两个明显的吸收峰,其中1800nm吸收峰可以延伸至1550nm产生光吸收。从此以后,开展了大量的离子注入实验研究,经典半导体物理的教科书中都附有Si中杂质深能级表 ]。2001年Marzur在超快激光与Si表面作用的研究中首次制备出了表面微米级晶锥结构[4],这种结构可以广谱减反太阳光,并且它的硫掺杂层可以宽谱吸收太阳光[3]。用其制备的Si探测器,其室温下红外光电响应拓展到1300nm。本专利技术则将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,从而具备了两大特点 ...
【技术保护点】
1.一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,包括:Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极。
【技术特征摘要】
2010.05.26 CN 201010191164.91.一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,包括Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极, 该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极。2.根据权利要求1所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,所述硫系元素为硫S、硒%或碲Te元素,所述过饱和替位掺杂为浓度高于杂质固溶度且占据晶格位置的掺杂,所述硫系元素在该n+型Si层中的固溶度为1016/cm3。3.根据权利要求1所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,当所述Si衬底为η型Si衬底时,在该η型Si衬底第一表面形成的第一半导体结为rm+同型结, 形成的第一电极为η型欧姆接触电极;所述在该η型Si衬底第二表面形成的第二半导体结为肖特基结或ρη结,当该半导体结为肖特基结时所述第二电极为肖特基电极,当该半导体结为ρη结时所述第二电极为ρ型欧姆接触电极。4.根据权利要求1所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,当所述Si衬底为ρ型Si衬底时,在该ρ型Si衬底第一表面形成的第一半导体结为ρη+异型结, 形成的第一电极为η型欧姆接触电极;所述在该ρ型Si衬底第二表面形成的第二半导体结为PP+同型结,形成的第二电极为P型欧姆接触电极。5.根据权利要求3所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,当所述第一表面为信号接收面时,所述第一电极仅覆盖于该第一表面的部分区域,在该第一电极未覆盖区域或存在Si02、SiN介质钝化膜、或存在铟锡氧化物透明导电薄膜,该介质钝化膜或透明导电薄膜的厚度为20至300纳米;而所述第二电极覆盖于该第二表面的部分或全部区域,在该第二电极未覆盖区域存在Si02、SiN介质钝化膜。6.根据权利要求3所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,当所述第二表面为信号接收面时,所述第二电极仅覆盖于该第二表面的部分区域,未覆盖区域或存在铝Al或钨W透明导电薄膜、或存在Si02、SiN介质钝化膜,该透明导电薄膜或该介质钝化膜的厚度为20至300纳米;而所述第一电极覆盖于该第一表面的部分或全部区域,在所述第一电极未覆盖区域存在Si02、SiN介质钝化膜。7.根据权利要求1所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,当该第一表面和该第二表面同在该Si衬底的一侧时,二者仅有高度上的区别,而该第一电极和该第二电极之间以SW2或SiN介质钝化膜作为隔离层,该介质钝化膜的厚度为20至300纳米。8.根据权利要求3所述的低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,所述 η型欧姆接触电极、肖特基电极和ρ型欧姆接触电极是由铝Al、铬Cr、金Au、钨W、镍Ni、钛 Ti、钯Pd或银Ag金属中的一种或多种金属合金而成。9.一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法,其特征在于,该方法采用超快脉冲激光辐照的硫系元素过饱和替位掺杂,具体包括采用离子注入设备在...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩培德,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11
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