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本发明提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗InP...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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