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本发明提供了一种MOSFET，该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻，当以二维平面来看时，其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个p本...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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