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本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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