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本发明揭示不同的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法，包括提供一半导体基底及在其上形成一栅极结构。栅极结构包括一第一间隙壁及与其隔开的一第二间隙壁。栅极结构也包括位于第一及第二间隙壁之间的一牺牲栅极。此方法也包括自栅极结构局部去除...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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