温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供不易断裂且能提高制造成品率的氮化镓衬底。氮化镓衬底（１０）由例如具有２英寸直径和１ｃｍ厚度的ＧａＮ单晶锭制作。主面（１２）相对于ＧａＮ单晶的Ｃ面的倾斜角（θ）为２０°以上、１６０°以下。氮化镓衬底（１０）的断裂韧性为１．３６ＭＮ／...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。