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本发明涉及到一种正交相二氧化锡薄膜的制备方法，其操作步骤为：（i）制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①制备高纯的二氧化锡粉；②将其粉末在0.4GPa压力下制作成直径15毫米，厚度4毫米圆块，将其圆块在1150℃下烧结2小时，即成为脉冲激光...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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