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正交相二氧化锡薄膜的制备方法技术

技术编号:6076135 阅读:234 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及到一种正交相二氧化锡薄膜的制备方法,其操作步骤为:(i)制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材:①制备高纯的二氧化锡粉;②将其粉末在0.4GPa压力下制作成直径15毫米,厚度4毫米圆块,将其圆块在1150℃下烧结2小时,即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材;(ii)利用脉冲激光沉积方法,冲击靶材得到沉积的正交相二氧化锡薄膜。本发明专利技术探寻到了高温高压正交相二氧化锡薄膜在相对较低压力和较低温度下的制备条件。

Method for preparing orthorhombic phase two tin oxide film

The invention relates to a preparation method of a quadrature phase two tin oxide film, which comprises the following steps: (I) for the preparation of two tin oxide target pulsed laser deposition: preparation of high pure tin oxide two of the system; the powder under the pressure of 0.4GPa is made into a diameter of 15 mm, 4 mm thickness the round, round 1150 degrees in the sintering 2 hours into two target pulsed laser deposition of tin oxide; (II) by pulsed laser deposition method, the impact of the target get quadrature phase two deposition of tin oxide thin films. The present invention explores the preparation conditions of high temperature and high pressure orthorhombic two tin oxide film under relatively low pressure and low temperature.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种高温、高压正交相二氧化锡薄膜在相对较低压力和较低温度下的制备技术,是属于无机氧化物薄膜材料制备工艺

技术介绍
二氧化锡是目前最具有应用价值的新型实用功能材料。它在太阳能电池、透明电极以及气体传感器等领域具有广泛的应用前景。在通常情况下,二氧化锡主要以锡石形态存在于自然界中,锡石型二氧化锡具有金红石四方相晶体结构,它的电学、光学以及气体传感特性等已经被广泛而深入地研究。然而,二氧化锡另一种晶体结构正交相,由于是高温高压相,不易合成,其性质探测和技术应用一直停滞不前。由于这种正交相二氧化锡的电学、光学及气体传感特性等一系列性质至今尚不清楚,全面实现高温高压正交相二氧化锡在常规条件下的合成,才能使得这种正交相二氧化锡材料获得广泛的应用。本专利技术是利用脉冲激光沉积技术,通过控制脉冲激光的各种参数和实验条件,在相对较低压力和较低温度下制备出了正交相二氧化锡薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对已有技术存在的问题,提供一种,能在相对较低压力和较低温度下制备正交相二氧化锡薄膜。为达到上述目的,本专利技术采用下述技术方案,其特征在于具体操作步骤如下a.制备用于脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交相二氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于具体操作步骤如下:    a. 制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材:①利用溶胶凝胶法制备高纯的二氧化锡粉末在27±2% SnCl4乙醇溶液中逐滴滴加28±2%氨水使其反应均匀,反应过程中实时检测其pH值,当pH = 7时,结束反应,可观测到白色溶胶产生;陈化24±0.2小时后,用乙醇、丙酮进行洗涤数次,用AgNO3检测滤出液,直至检测不到Cl-为止;所得凝胶放入真空干燥箱100℃±5℃烘干水分及洗涤剂,得块状样品;研磨成粉末,制备出粒径4±0.5纳米的二氧化锡粉末;②将其粉末在0.3~0.5 GPa 压力下制作成直径15±2毫米,厚度4±0.2毫米...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈志文王剑杜娟焦正吴明红
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:31

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