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一种绝缘栅极半导体器件包括半导体衬底(10)、沟道区(13)、浮置区(18)、发射极区(14)、主体区(15)、空穴阻止层(19)以及发射极电极(21)。重复设置所述沟道区(13)和所述浮置区(18)，使得至少一个浮置区(18)位于相邻的沟...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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