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一种静电放电保护电路，用于对芯片管脚进行静电放电保护，包括：ＮＭＯＳ晶体管，其栅电极和源极接地，漏极连接所述芯片管脚，所述ＮＭＯＳ晶体管为本征ＮＭＯＳ晶体管，且其栅电极的掺杂类型为Ｐ型离子。本发明的ＥＳＤ保护电路中所述本征ＮＭＯＳ晶体管内部...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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