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本发明关于一种n沟道晶体管及反相器电路。在一实施例中，n沟道晶体管包括一分立空穴能阶(H0)的第一半导体层：具有一导电带最小值(EC2)的第二半导体层；设置于第一和第二半导体层之间的宽能隙半导体阻障层；设置于第一半导体层之上的栅极介电层；以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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