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本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法,该集成电路元件包括:一中介层,大抵不具有集成电路元件,其中该中介层包括:一基底,具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧;多个穿基底导电结构,位于该基底之中;一第一内连线结构,位于该基底的该第一...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法,该集成电路元件包括:一中介层,大抵不具有集成电路元件,其中该中介层包括:一基底,具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧;多个穿基底导电结构,位于该基底之中;一第一内连线结构,位于该基底的该第一...