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本发明公开了一种低成本晶体硅太阳能电池扩散方法，该方法首先使用单晶炉或多晶炉生长掺杂元素的原子百分比含量为0.1％～6％的重掺杂单晶硅棒或多晶硅铸锭，将其切割成硅片作为固态扩散源；然后将该扩散源硅片与待扩散硅片放置在扩散炉内，保持扩散源硅片...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种低成本晶体硅太阳能电池扩散方法，该方法首先使用单晶炉或多晶炉生长掺杂元素的原子百分比含量为0.1％～6％的重掺杂单晶硅棒或多晶硅铸锭，将其切割成硅片作为固态扩散源；然后将该扩散源硅片与待扩散硅片放置在扩散炉内，保持扩散源硅片...