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本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法,该电阻转换存储器结构,包括:多个选通单元和多个电阻转换存储单元;其中,每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元;所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料;所述存储...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法,该电阻转换存储器结构,包括:多个选通单元和多个电阻转换存储单元;其中,每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元;所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料;所述存储...