【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于半导体存储器领域。
技术介绍
电阻转换存储器是当前炙手可热的下一代非易失性半导体存储器的候选，它在密 度、速度、功耗乃至成本方面都具有明显的优势，具有广阔的市场前景。电阻转换存储器有 以下几种类型相变存储器、电阻随机存储器、以及含锑电阻存储器。这些存储器虽然具有 不同的机理，是不同的存储类型，然而其共同点是在电信号的作用下能够实现器件单元的 电阻在高、低阻值之间的可逆转换，从而实现数据的存储，因为是依靠电阻进行存储，电阻 转换存储器还是潜在的多级存储器。在电阻转换存储器，存储材料与电极之间的接触是影响器件性能的关键，以相变 存储器为例，接触面积越小，器件的功耗越低，因此，研究开发人员花费了大量的精力开发 具有较小接触面积的结构，其中就有利用侧墙技术获得的“confined结构”和U型结构。 "confined结构”的特点是存储材料被包覆在绝缘材料中，得到了比较好的性能，存储材料 与下电极的接触为圆形(或者带弧度的形状)；另外值得一提的是U型的结构，通过这种 结构，存储器中存储材料与电极材料的接触面积大大地减小，从而明显地降低了功耗，这种 结...
【技术保护点】
１．一种电阻转换存储器结构，其特征在于，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于３∶１；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，朱南飞，宋志棠，刘波，吴关平，张超，谢志峰，封松林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31
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