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本发明的一种P型MOS存储单元包括：在衬底中依次布置的源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区；在从源极有源区至漏极有源区的方向上，在衬底上依次布置第一浮栅极、选择栅极、以及第二浮栅极；布置在第一浮栅极上的第一控制栅极；以及布置在第二浮栅极上...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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