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本发明为一种晶体管，其包括具有沟道区的基底；位于该基底沟道区两端的源区和漏区；界于所述源区和漏区之间的该沟道区上方基底顶层的栅极高Ｋ介质层；位于该栅极高Ｋ介质层下面的界面层，该界面层第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且第一部分的等效氧化层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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