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本实用新型公开了一种耗尽型ｐＨＥＭＴ芯片的ＥＳＤ保护电路，其在外接ＥＳＤ保护电路与芯片焊盘之间增加了一个耗尽型ｐＨＥＭＴ　Ｔ↓［１］、电阻Ｒ↓［１］和电阻Ｒ↓［２１］，Ｔ↓［１］的栅极Ｇ↓［１］通过电阻Ｒ↓［１］接地，漏极Ｄ↓［１］接芯片 ...
该专利属于惠州市正源微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠州市正源微电子有限公司授权不得商用。

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