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本发明涉及用于空穴传输层的ｐ型掺杂的新型材料，如式（１）给出的噻唑啉化合物，其中通过所述材料的较高蒸发温度和／或玻璃形成特性来克服现有技术的缺点，尤其是已知ｐ型掺杂材料的较差可蒸发性。...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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