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一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区（２９），以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区（２０），以及减反射层（２７）。后表面被介电层（３９）覆盖，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面...该专利属于ＩＭＥＣ公司;光伏技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＩＭＥＣ公司;光伏技术公司授权不得商用。
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一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区（２９），以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区（２０），以及减反射层（２７）。后表面被介电层（３９）覆盖，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面...