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沟槽ＭＯＳＦＥＴ包含邻近栅极沟槽的凹陷场板（ＲＦＰ）沟槽。ＲＦＰ沟槽包含ＲＦＰ电极，ＲＦＰ电极通过沿ＲＦＰ沟槽的壁的介电层与管芯绝缘。栅极沟槽具有厚的底部氧化物层，并且栅极沟槽和ＲＦＰ沟槽优选在相同的加工步骤中形成并且深度基本相同。当ＭＯＳ...
该专利属于巨能半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过巨能半导体股份有限公司授权不得商用。

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