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本发明涉及一种发射辐射的装置(1)，其包含发射初级辐射(4) 的发射辐射功能层(2)和通式为Ca3+x-yEuxMeySiO4Cl2的辐射转换材料， 其中“Me”是来自Ba、Sr、Mg或这些金属任意组合的组的金属，所 述转换材料设置在所述发...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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