【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射装置本专利技术涉及一种发射辐射的装置，其发射初级辐射并且具有辐射转 换材料。本专利申请要求德国专利申请10 2006 045 705.6和10 2007 020 782.6的优先权，它们的公开内容在此通过引用并入本文。发射辐射的装置包括两个触点接通，例如电极，其与发光功能层导 电接触。电子从阴极注入发射层和正电荷(所谓的空穴)从阳极注入发 射层。通过这些电荷在发射层的复合而产生光。根据发射层所用的半导 体材料，发出的光具有不同的波长。为了产生可见光或其它颜色的光， 可以将半导体层的初级辐射至少部分转换成次级辐射。这通常通过所谓 的转换荧光材料来实现，转换荧光材料通过初级辐射激发且发射其它波 长的次级辐射。存在有机和无机转换荧光材料，其中无机转换荧光材料 具有较高的温度稳定性和辐射稳定性。然而，满足关于激发范围和发射 范围要求的适合的无机转换材料只有有限的数目。本专利技术的目的在于，提供发射辐射装置中的新型转换荧光材料。所述目的通过根据权利要求1的发射辐射装置来实现。其它权利要 求的主题是所述发射辐射的装置及其制造方法的特别有利的实施方案。在根据本专利技术的一...
【技术保护点】
一种发射辐射装置（１），其包含发射初级辐射（４）的发射辐射功能层（２）和辐射转换材料（３），所述辐射转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且含有通式为Ｃａ↓［３－ｘ－ｙ］Ｅｕ↓［ｘ］Ｍｅ↓［ｙ］ＳｉＯ↓［４］Ｃｌ↓［２］的辐射转换荧光材料（３１），其中荧光材料将初级辐射的至少一部分转化成次级辐射（５）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.27 DE 102006045705.6;2007.5.3 DE 1020070201.一种发射辐射装置(1)，其包含发射初级辐射(4)的发射辐射功能层(2)和辐射转换材料(3)，所述辐射转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且含有通式为Ca3-x-yEuxMeySiO4Cl2的辐射转换荧光材料(31)，其中荧光材料将初级辐射的至少一部分转化成次级辐射(5)。2. 根据权利要求1的发射辐射装置(1 )，其中所述发射辐射功能层 (2 )发射UV范围内，优选波长为360至400 nm的初级辐射(4 )。3. 根据权利要求1的发射辐射装置(1 )，其中所述发射辐射功能层 (2 )发射蓝光范围内，优选波长为400至470nm的初级辐射(4 )。4. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置，其中所述发射辐 射功能层的材料包含半导体，所述半导体优选选自InGaN、 Ga(In，Al)N 和GaN。15. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中所述辐 射转换荧光材料(31)在蓝光和/或UV范围内被激发。6. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中所述辐 射转换荧光材料(31)优选在360nm至470nm范围内被激发。7. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中所述辐 射转换荧光材料(31)在波长470nm和550nm之间具有发射峰值。8. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1),其中所述辐 射转换荧光材料(31)在波长512 ± 3rnn具有发射峰值。9. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中通式为 Ca3+yEuxMeySi04Cl2的辐射转换荧光材料(31)中x选自0.05至0.5 的范围。10. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中在通式 为Ca3-x.yEUxMeySi04Cl2的辐射转换荧光材料(31)中Ca部分被金属 Me取代，所述金属Me选自Sr、 Ba和Mg。11. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1),其中通式为Ca3—x-yEuxMeySi04Cl2的辐射转换荧光材料(31)中y选自0至0.5的范 围。12. 根据前述权利要求中任一项的发射辐射装置(1)，其中所述辐 射转换荧光材料(31)具有式Ca^EufuSiOaCh.13. 根据权利要求l-ll中任一项的发射辐射装置(l)，其中所述辐射转换荧光材料(31)具有式C...
【专利技术属性】
技术研发人员：乌特·利波尔德，曼弗雷德·科布施，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE
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