下载Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底的技术资料

文档序号:5431334

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本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中,第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1?5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第...
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