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Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底制造技术
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文档序号:5431334
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本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中,第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1?5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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