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本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体（１），其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面（２）发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体（１）的正面（２）的至少一个第一部分区域（５）上的、带有第一波长转换材料（７）的第一波长转...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体（１），其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面（２）发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体（１）的正面（２）的至少一个第一部分区域（５）上的、带有第一波长转换材料（７）的第一波长转...