带有波长转换材料的光电子半导体芯片和带有这种半导体芯片的半导体器件以及用于制造光电子半导体芯片的方法技术

本发明专利技术公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体（１），其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面（２）发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体（１）的正面（２）的至少一个第一部分区域（５）上的、带有第一波长转换材料（７）的第一波长转换层（６），该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中正面（２）的至少一个第二部分区域（８）没有第一波长转换层（６）。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种带有波长转换材料的光电子半导体芯片、一种带有这样的半导体芯片的光电子器件以及一种用于制造光电子半导体芯片的方法。带有波长转换材料的光电子半导体芯片例如在出版物WO 97/50132中进行了描述。在该出版物中提出将波长转换材料例如以整面构建的层的形式施加到发射辐射的半导体本体上。该层的波长转换材料将由半导体本体发射的辐射的一部分转换为其他波长的辐射，使得半导体芯片发出混色的辐射，例如可见的白色光。此外也描述了不仅使用一种波长转换材料，而且使用两种波长转换材料，例如以便能够更好地调节由半导体芯片发射的辐射的色度坐标。然而在结合光电子半导体本体使用两种或多种波长转换材料时，会出现相互的吸收。如果半导体本体例如发射蓝色频谱范围中的辐射，该辐射部分地由第一波长转换材料转换为红色频谱范围中的辐射、部分地由另外的第二波长转换材料转换为绿色频谱范围中的辐射，则由第二波长转换材料转换的绿色频谱范围中的辐射会被发射红色的波长转换材料吸收。这提高了光电子半导体芯片的内部损本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体芯片（１８），包括：　－半导体本体（１），其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面（２）发射第一波长范围的电磁辐射，　－在所述半导体本体（１）的正面（２）的至少一个第一部分区域（５）上的、具有第一波长转换材 料（７）的第一波长转换层（６），该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中所述正面（２）的至少一个第二部分区域（８）没有第一波长转换层（６）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2006-5-23 102006024165.71.一种光电子半导体芯片(18)，包括：
-半导体本体(1)，其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从
其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射，
-在所述半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)
上的、具有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6)，该第一波
长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二
波长范围的辐射，其中所述正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没
有第一波长转换层(6)。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(18)，其中在所述正
面(2)的第二部分区域或者至少一个与第一部分区域(5)不同的第三
部分区域(9)上施加带有第二波长转换材料(11)的第二波长转换层
(10)，该第二波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一和第
二波长范围不同的第三波长范围的辐射。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中第一波长转换层(6)将由第一部分区域发射的、第一波长范围中
的辐射完全转换为所述第二波长范围的辐射。
4.根据权利要求2至3中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第二波长转换层(10)将所述半导体本体的正面在部分区域中
发射的、所述第一波长范围中的辐射完全转换为所述第三波长范围的辐
射，其中所述第二波长转换层(10)施加在该部分区域上。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中在半导体本体(1)的正面(2)上施加有带有第三波长转换材料(13)
的第三波长转换层(13)，该第三波长转换材料将第一波长范围的辐射
转换为与第一波长范围、必要时与第二波长范围以及必要时与第三波长
范围不同的第四波长范围的辐射。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第一波长转换层(6)具有接合剂，所述第一波长转换材料(7)
的颗粒嵌入到该接合剂中。
7.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第二波长转换层(10)具有接合剂，所述第二波长转换材料(11)
的颗粒嵌入到该接合剂中。
8.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第三波长转换层(12)具有接合剂，所述第三波长转换材料(13)
的颗粒嵌入到该接合剂中。
9.根据权利要求6至8中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中接合剂选自以下材料构成的组：热塑性材料、聚苯乙烯、乳胶、透
明的橡胶种类、玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸酯、特氟隆、硅酸盐、水玻璃、
乙烯聚合物、硅树脂、环氧树脂、PMMA或者具有硅树脂、环氧树脂和
PMMA的混合材料。
10.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第一波长转换层(6)构建为薄膜或者包括薄膜，在所述薄膜
中包含所述第一波长转换材料(7)。
11.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片(18)，
其中所述第二波长转换层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：D伯本，F杰曼，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]