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本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片（１），其包括用于产生波长为λ的辐射的有源区（２）以及具有不规则地布置的结构元件的结构化区域（３），这些结构元件包含具有第一折射率ｎ１的第一材料，并且被具有第二材料的介质包围，该第二材料具有第二折射率ｎ２。...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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