【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的半导体芯片本专利技术涉及一种发射辐射的半导体芯片及其制造方法。本专利申请要求德国专利申请10 2007 046 497. 7和德国专 利申请10 2007 060 204. 0的优先权，这些申请的公开内容通过引用被结合于此。产生辐射的半导体芯片通常包含折射率与周围介质、例如空气相比相对高的半导 体材料。这导致在辐射耦合输出时在半导体芯片与周围介质之间的界面上可能容易发生 全反射，这导致光输出被减小。在此，要解决的任务在于，说明一种具有改善的光输出的发射辐射的半导体芯片。 该任务通过按照权利要求1的发射辐射的半导体芯片被解决。此外，要解决的任务还在于，说明这种发射辐射的半导体芯片的制造方法。该任务 通过按照权利要求14或15的方法被解决。发射辐射的半导体芯片的有利的改进方案在从属权利要求中被说明。本专利技术尤其所基于的思想是，借助于结构元件的形状、大小和/或密度以期望的 方式来调节在具有第一折射率的第一介质和具有第二折射率的第二介质之间出现的折射 率过渡(Brechungsindexilbergang)。通过相应的调节可以针对应用产生相对大的或相对小 的、逐...
【技术保护点】
一种发射辐射的半导体芯片（１），包括：－用于产生波长为λ的辐射的有源区（２），－具有不规则地布置的结构元件的结构化区域（３），这些结构元件包含具有第一折射率ｎ↓［１］的第一材料并且被具有第二材料的介质包围，该第二材料具有第二折射率ｎ↓［２］。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：A莱利，C埃克勒，C鲁姆博尔茨，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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