温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了一种用于使衬底上的低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电膜固化的方法，其中，ｌｏｗ－ｋ介电膜的介电常数比约４的值更低。所述方法包括将ｌｏｗ－ｋ介电膜暴露于紫外线（ＵＶ）辐射。在ＵＶ暴露之后，将介电膜暴露于ＩＲ辐射。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。