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本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极（下电极膜...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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