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一种MOSFET的测试电路制造技术
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文档序号:5285946
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本实用新型提供了一种MOSFET的测试电路,包括:稳压单元,进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元,隔离单元,在测试MOSFET时,给MOSFET提供反偏高压,并且在不测试MOSFET时,用来保护MOSFET的保护单元;所述稳压单元的输出...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。
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