一种ＭＯＳＦＥＴ的测试电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种ＭＯＳＦＥＴ的测试电路，包括：稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，隔离单元，在测试ＭＯＳＦＥＴ时，给ＭＯＳＦＥＴ提供反偏高压，并且在不测试ＭＯＳＦＥＴ时，用来保护ＭＯＳＦＥＴ的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与ＭＯＳＦＥＴ的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接ＭＯＳＦＥＴ的漏极。利用ＭＯＳＦＥＴ的门极和源极短接形成ＰＮ结的反向漏电流来产生一小的电流，这样解决了现有技术中因三极管不同而得到的电流不精确的问题。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种MOSFET的测试电路，尤其涉及在测试电路中产生小的电流源。技术背景 对于高压 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET，金氧半场效晶体管)来说，其漏源击穿电压(BVDS ；通常称作耐压值，即被测试器件 正常工作时所能承受的最大电压值)是极其重要的一项参数，它在很大成度上决定了产品 所应用的
对于MOSFET的漏源击穿电压的测试原理如图1所示将MOSFET的门 极G和源极S短接接地，在漏极D和源极S间加上250uA的恒流源，此时测试漏极D和源极 S之间的电压就是MOSFET的耐压值。对于高压MOSFET管耐压值的测试，关键是如何得到精 准的恒流源。现有最常用的简易恒流源如图2所示，第一电阻Rl的一端与电源VCC连接，另一 端分别与第一三极管Ql的基极bl和第二三极管Q2的集电极c2连接，第一三极管Ql的发 射极el分别与第二三极管Q2的基极b2和第二电阻R2的一段连接，第二三极管的发射极 e2与第二电阻的另一端连接并接地；第一三极管Ql与第二三极管Q2是两个相同的管子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳＦＥＴ的测试电路，其特征在于，包括：用于产生稳定电压的稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，将低压区和高压区隔离的隔离单元，在测试ＭＯＳＦＥＴ时，给ＭＯＳＦＥＴ提供反偏高压，并且在不测试ＭＯＳＦＥＴ时，用来保护ＭＯＳＦＥＴ的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与ＭＯＳＦＥＴ的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接ＭＯＳＦＥＴ的漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董长青，马俊，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]