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本发明提供了一种半导体器件，包括：具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第一区域上的属于ｐＭＯＳ器件的第一栅极结构；在所述第二区域上的属于ｎＭＯＳ器件的第二栅极结构；在所述第一栅极结构的侧壁的多层第一侧墙，其中所述多层第一侧墙中邻接所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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