温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种降低薄膜电池漏电流的方法，该方法是：在ＰＩＮ层上开设凹槽，该凹槽用于沉积与透明导电极层相电连接的背电极层，所述ＰＩＮ层包括沉积的Ｐ型掺杂Ｓｉ层；在凹槽的侧壁上沉积用于防止隧道电流从背电极层直接流入所述ＰＩＮ层的Ｐ掺杂Ｓｉ层的...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。