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本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底，包括一顶部表面；形成一第一绝缘区和一第二绝缘区于半导体基底中；及凹陷化第一绝缘区和第二绝缘区，其中第一绝缘区和第二绝缘区剩余部分的顶部表面是平坦表面或凹陷表面，且其中位于第一绝缘...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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