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提供了一种其中通过三维地排列基元来改善位密度的半导体存储器及其制造方法。在半导体存储器（１）中，在硅衬底（１１）上设置多个栅极电极膜（２１）。栅极电极膜（２１）沿与硅衬底（１１）的上表面平行的一个方向（Ｘ方向）排列。每个栅极电极膜（２１）具...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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