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一种静电放电保护装置，包括：多个并联且形成于同一深阱的栅极接地的ＮＭＯＳ管，其中各ＮＭＯＳ管的漏极均接于焊盘，至少处于中间位置的一个ＮＭＯＳ管的源极和基极相连，并通过阱电阻接地。其他ＮＭＯＳ管的基极、源极均接地。所述静电放电保护装置具有良好...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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