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一种ＬＤＭＯＳ装置包含：第一导电率类型的衬底；所述衬底上的外延层；所述外延层的下部分中的与所述第一导电率类型相反的第二导电率类型的掩埋阱，所述外延层在掩埋层下面为所述第一导电率类型。所述装置进一步包含位于漏极与栅极氧化物上的栅极及源极两者之...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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