温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，适用于自对准快闪存储器制造工艺，包括：提供半导体基底，在半导体基底的表面依次形成栅介质层、栅介质层表面的栅电极以及栅电极表面的硬掩膜层；依次刻蚀硬掩膜层、栅电极、栅介质层以及半导体基底，形成沟槽；在沟槽侧壁上，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。