温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，其可以包括：第一沟道，其位于衬底的第一区域上；第一栅极结构，其围绕第一沟道的一部分；位线，其位于第一沟道的第一侧并且电连接到第一沟道；电容器，其位于第一沟道的第二侧并且电连接到第一沟道；第二沟道，其位于衬底的第二区域上；第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。