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一种半导体存储器件包括：基板，所述基板包括沿第一方向设置的多个页缓冲器区域；电路，所述电路分别设置在所述多个页缓冲器区域上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述基板上方以覆盖所述电路；以及多个互连件，所述多个互连件直接设置在所述层间绝缘层上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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