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本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气，来使镍向所述非晶硅膜中扩散。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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